We are redesigning our website! You can expect a fresh design and new functions soon. We look forward to welcome you!

Производство полупроводников

0
Станки б/у для использования в производстве полупроводников
Ваши настройки фильтра не дали никаких результатов. Ваши настройки фильтра не дали никаких результатов. Измените или удалите фильтры, чтобы увидеть больше результатов.

Рекомендации для Вас

Станки и оборудование после банкротства, закрытия или реструктуризации предприятий.

SINICO TOP 2000 Automatic transfer machine
shape
Италия, 24030 SOLZA (BG)
SINICO TOP 2000 Automatic transfer machine
Токарный станок с ЧПУ DOOSAN / IEMCA PUMA GT2100 / MASTER 865 MP
shape
Кромкооблицовочный станок BRANDT OPTIMAT KDF 660 GC
shape
MAZAK QUICK TURN 200 L SMOOTH CNC lathe
shape
Германия, 77830 Bühlertal
MAZAK QUICK TURN 200 L SMOOTH CNC lathe
Токарный станок с ЧПУ MORI SEIKI MT2000SZ
shape
Универсальный обрабатывающий центр DECKEL MAHO DMU 80 P HI-DYN
shape
AGIE CHARMILLES EI6050 TW Wire EDM machine
shape
Германия, 77830 Bühlertal
AGIE CHARMILLES EI6050 TW Wire EDM machine
ELB SMART BD 10 COMFORT CNC surface grinding machine
shape
Универсальный обрабатывающий центр DECKEL MAHO DMU 125 P HI-DYN
shape
Подъемное устройство SOMERS FOURSEAS
shape
MAZAK QUICKTURN NEXUS 250-II CNC lathe
shape
Германия, 77830 Bühlertal
MAZAK QUICKTURN NEXUS 250-II CNC lathe
CHARMILLES ROBOFIL 440 CC Wire erosion machine
shape
Германия, 77830 Bühlertal
CHARMILLES ROBOFIL 440 CC Wire erosion machine
Технология полупроводникового производства базируется в настоящее время на таких сложных прецизионных процессах обработки, как фото- и электронолитография, оксидирование, ионноплазменное распыление, ионная имплантация, диффузия, термокомпрессия и др. К материалам, используемым в производстве приборов и микросхем, предъявляют высокие требования по чистоте и совершенству структуры. Полупроводниковая промышленность характеризуется постоянным уменьшением размера структур и повышением плотности интеграции элементов.
  • послойное удаление материала и обработка
  • обработка свободным абразивом
  • плотность интеграции элементов
 Качество   Большой выбор   Инд. подход Инструмент для обработки полупроводниковых материалов и диэлектриков должен соответствовать этой тенденции развития. Для осуществления большинства технологических операций используют уникальное по характеристикам оборудование: оптико-механическое; термическое; ионно-лучевое. Процессы осуществляются в специальных обеспыленных, помещениях с заданными влажностью и температурой.

Полупроводниковые приборы эксплуатируются и при низких температурах. Поэтому энергия ионизации легирующих примесей полупроводникового материала должна быть значительной при температурах до —60°С. Для изготовления магнитоэлектрических приборов применяют арсенид индия и теллурид ртути. Для изготовления термоэлектрических приборов требуются полупроводниковые материалы, обеспечивающие максимальный коэффициент эффективности, т. е. обладающие высокой электропроводностью и низкой теплопроводностью. Такие свойства имеют антимонид цинка, теллурид и селенид висмута и их твердые растворы. При выборе материалов для изготовления фотоприборов руководствуются в первую очередь спектральной чувствительностью полупроводникового материала и особенно значением края поглощения. Полупроводниковые материалы, применяемые для производства лазеров, должны быть чистыми и обладать совершенной структурой. Посторонние примеси и дефекты приводят к появлению внутри запрещенной зоны промежуточных энергетических уровней. Материал для полупроводниковых лазеров должен иметь высокое значение подвижности при данной концентрации носителей заряда. Для механической обработки полупроводниковых материалов не могут быть использованы обычные токарные, фрезерные, строгальные и сверлильные станки, которые широко применяются для обработки различных материалов. Это связано с высокой хрупкостью полупроводниковых материалов. Поэтому основным способом их механической обработки является обработка с использованием абразивов как в связанном состоянии (алмазные диски и шлифовальники), так и в свободном (абразивные суспензии и алмазные пасты). Физическая сущность механизма разрушения хрупкого полупроводникового материала при обработке свободным абразивом заключается в следующем. Частицы абразивного материала, вдавливаясь в поверхность обрабатываемого полупроводникового материала, вызывают образование в ней микротрещин. Эти микротрещины в процессе обработки увеличиваются и распространяются вглубь от поверхности. Дальнейшая обработка приводит к созданию сети трещин, которые, смыкаясь, вызывают сколы отдельных участков полупроводникового материала. Отколовшиеся части удаляют с поверхности исходного образца. Таким образом происходит послойное удаление материала и осуществляется механическая обработка исходного образца.

Обработка полупроводниковых материалов свободным абразивом проводится с использованием различных абразивных суспензий, составной частью которых является жидкость. Наличие жидкости при обработке дает возможность более равномерного распределения абразивных зерен по всей обрабатываемой поверхности исходного образца. Жидкость переносит новую порцию абразивных зерен, поступающих из дозатора, и выносит из зоны обработки разрушенные частицы обрабатываемого материала. Смоченные абразивной суспензией обрабатываемые поверхности не подвергаются перегреву, который может привести к ухудшению качества механической обработки.